FinFET ยังเป็นที่รู้จักกันในนาม Fin Field Effect Transistor เป็นทรานซิสเตอร์ ชนิดไม่ระนาบหรือ "3D" ที่ใช้ในการออกแบบโปรเซสเซอร์ที่ทันสมัย เช่นเดียวกับก่อนหน้านี้การออกแบบระนาบมันถูกสร้างขึ้นบนซับสเตรต (ซิลิกอนบนฉนวน) อย่างไรก็ตามการออกแบบ FinFET ยังใช้ช่องทางนำไฟฟ้าที่เพิ่มขึ้นเหนือระดับของฉนวนสร้างโครงสร้างซิลิกอนบาง ๆ รูปร่างคล้ายครีบซึ่งเรียกว่าประตูอิเล็กโทรด อิเล็กโทรดรูปครีบนี้ช่วยให้ประตูหลายบานทำงานได้บนทรานซิสเตอร์ตัวเดียว

กระบวนการหลายประตูประเภทนี้ขยายกฎหมายของมัวร์ทำให้ผู้ผลิตเซมิคอนดักเตอร์สามารถสร้าง CPU และโมดูลหน่วยความจำที่มีขนาดเล็กลงทำงานได้เร็วขึ้นและสิ้นเปลืองพลังงานน้อยลง Intel เริ่มเปิดตัวเทคโนโลยี FinFET CPU ในปี 2555 ด้วยโปรเซสเซอร์ Ivy Bridge ขนาด 22 นาโนเมตร

เงื่อนไข CPU, การออกแบบ, ประตู, ฉนวน, Ivy bridge, Nanometer, Silicon